GT60N321
آی جی بی تی gt60m321, igbt 60N321
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT. GT60N321. High Power Switching Applications. Fourth Generation IGBT 60A 1000V 170W TO3P
آی جی بی تی GT60N321 با جریان 60 آمپر و ولتاژ 1000 ولت می باشد.
برای خرید IGBT مدل GT60N321 به صورت اینترنتی می توانید از همین صفحه اقدام نمایید.
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT. GT60N321. High Power Switching Applications. Fourth Generation IGBT 60A 1000V 170W TO3P
آی جی بی تی GT60N321 با جریان 60 آمپر و ولتاژ 1000 ولت می باشد.
برای خرید IGBT مدل GT60N321 به صورت اینترنتی می توانید از همین صفحه اقدام نمایید.
محصولات مرتبط
بیشتر
